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| TMS320VC33系列讲座资料 第三讲 | |||||
作者:Free 文章来源:本站原创 点击数: 更新时间:2007-8-16 ![]() |
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第三讲 VC33的存储器结构及其扩展(续)
隔了一段时间了,不知道大家前面的知识消化了没有,这一节我们一起来学习一下VC33存储器的扩展。^_^ 这里我们主要以异步存储器为主。下面是异步存储器接口控制信号。 片选:PAGE[3:0] 读/写控制:STRB、R/W 等待就绪:RDY 注意的问题: a、硬件信号的正确连接; b、时序的相互匹配 1、SRAM的扩展 常用的SRAM CY CY IS61LV25616AL-10T(256K×16位、3.3V、10ns) 我用到的就是第三种,实际中我用两片SRAM扩展为32位的。其他的信号线不用我教了吧,呵呵,这个大家都会连。 2、FLASH的扩展 FLASH的基本操作: a、读FLASH存储单元数据; b、读FLASH状态信息; c、扇区擦除; d、整片擦除; e、写数据到FLASH存储单元中 常用FLASH SST39VF Am29LV800B( 注意Bootloader的定位就可以了。片选接PAGE1。 技巧提示:数据、地址线在PCB布线时的等价交换 DSP外部存储器接口的数据总线为DD[i] 存储器芯片的数据总线为MD[j] DSP外部存储器接口的地址总线为DA[k] 存储器芯片的地址总线为MA[l] 数据总线可以等价交换时:i不等于j 地址总线可以等价交换时:k不等于l 注意了:SRAM的数据总线和地址总线可以等价交换,而FLASH的则不能。 |
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