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  TMS320VC33系列讲座资料 第三讲         ★★★ 【字体:
TMS320VC33系列讲座资料 第三讲
作者:Free    文章来源:本站原创    点击数:    更新时间:2007-8-16    

第三讲 VC33的存储器结构及其扩展(续)

 

隔了一段时间了,不知道大家前面的知识消化了没有,这一节我们一起来学习一下VC33存储器的扩展。^_^

 

这里我们主要以异步存储器为主。下面是异步存储器接口控制信号。

 

片选:PAGE[3:0]

 

/写控制:STRBR/W

 

等待就绪:RDY

 

注意的问题:

 

a、硬件信号的正确连接;

 

b、时序的相互匹配

 

1SRAM的扩展

 

常用的SRAM

 

CY7C1021V3312ZC64K×16位、3.3V12ns

 

CY7C1041V3312ZC256K×16位、3.3V12ns

 

IS61LV25616AL10T256K×16位、3.3V10ns

 

我用到的就是第三种,实际中我用两片SRAM扩展为32位的。其他的信号线不用我教了吧,呵呵,这个大家都会连。

 

2FLASH的扩展

 

FLASH的基本操作:

 

a、读FLASH存储单元数据;

 

b、读FLASH状态信息;

 

c、扇区擦除;

 

d、整片擦除;

 

e、写数据到FLASH存储单元中

 

常用FLASH

 

SST39VF400A704CEK256K×163.3V70ns

 

Am29LV800B1M×8/512K×16位、3.3V70ns

 

注意Bootloader的定位就可以了。片选接PAGE1

 

 

 

技巧提示:数据、地址线在PCB布线时的等价交换

 

DSP外部存储器接口的数据总线为DD[i]

 

存储器芯片的数据总线为MD[j]

 

DSP外部存储器接口的地址总线为DA[k]

 

存储器芯片的地址总线为MA[l]

 

数据总线可以等价交换时:i不等于j

 

地址总线可以等价交换时:k不等于l

 

注意了:SRAM的数据总线和地址总线可以等价交换,而FLASH的则不能。

 

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