|
|||||||||
 |
|
||||||||
|
|
||||||||||||||
| . 网站首页 . 新闻 . 新品 . 方案 . 专访 . 活动 . DSP . EDA . 评测室 . 技术文库 . 会员区 . 商城 . 服务导航 . 邮购 . 资源 . | ||
 |
||
|
||
|
|||||
| CCSforTMS320VC5509的内存模式 | |||||
作者：61ic 文章来源：本站原创 点击数： 更新时间：2005-9-21  |
|||||
|
小内存模式下，以下sections必须在一个64k字大小的单页的内存空间里： .bss and .data sections (all static and global data) .stack and .sysstack sections (the primary and secondary system stacks) .sysmem section (dynamic memory space) .const section 对 .text sections (code), .switch sections (switch statements), or .cinit/.pinit sections (variable initialization) 没有大小和位置的约束。 小内存模式下，compiler使用16-bit数据指针访问数据，其XARn 的高7位被设置成指向包含.bss section 的页面。并在整个程序的执行过程中保持不变。 *Large Memory Model 大内存模式对数据存放没有约束。大内存模式，用 -ml 选项。在大内存模式下： 23 bits 数据指针，在内存中数据占用两个字。 .stack 和 .sysstack sections必须在同一页面。 注意：只有代码段可以跨越页边界。其他任何类型的内存段必须放在同一页中。 如果使用大内存模式，run-time库必须用rts55x.lib。linker不支持混合内存模式。 在小模式下，所有7-bit MDPxx registers都会被初始化为0，ensuring that all data accesses are in Page 0. |
|||||
| 欢迎点击进入：TI德州中文网 (国内唯一针对TI应用的中文技术网站) 文章录入：admin 责任编辑：admin | |||||
| 【发表评论】【加入收藏】【告诉好友】【打印此文】【关闭窗口】 | |||||
| 最新热点 | 最新推荐 | 相关文章 | ||
| 没有相关文章 |
| 网友评论：（只显示最新10条。评论内容只代表网友观点，与本站立场无关！） |
| | 设为首页 | 加入收藏 | 联系站长 | 友情链接 | 版权申明 | 网站公告 | 管理登录 | | |||
|
