镍铂硅化物最早应用于65nm逻辑器件，因为它的阻抗更低，从而可实现器件性能的大幅改善。但在早期应用中，业界发现在不损害镍铂硅化物区域的情况下，去除未反应的镍和铂是非常有挑战性的。在2005年，FSI凭借其新开发的镍铂剥离工艺解决了这一问题。

　　随着业界使用镍铂硅化物的经验增加，IC制造商观察到更低的硅化物形成温度可降低结泄漏电流。不过，这一温度更低的工艺在金属去除步骤中带来了其它的复杂性，并使得高良率的集成方案无法实现。新的基于FSI ViPR™的工艺没有这一限制，从而使得这样一个低成本、高良率低温退火镍铂硅化物工艺得以实现。