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  瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器           ★★★ 【字体:
瑞萨科技发布硅锗功率晶体管应用于无线LAN终端等功率放大器
作者:佚名    文章来源:61IC    点击数:    更新时间:2007-1-24    
 Renesas宣布RQG2003高性能的功率硅锗HBT*1实现了业界最高水平性能,可用于诸如无线LAN终端、数字无绳电话和RF(射频)标签读/写机等产品。样品供货将于从2007年3月在日本开始。

  作为瑞萨科技目前HSG2002的后续产品,RQG2003是一种用于功率放大器的晶体管,它可以对传输无线LAN终端设备等RF前端功率进行放大。

  RQG2003的功能总结如下。

  (1)业界最高的性能水平,有助于实现低功耗产品

  在5GHz和2.4GHz频段,RQG2003的性能达到了业界的最高水平,如下所述。

  (a)5GHz频段:6.4dB的功率增益,26.5dBm条件下的1dB增益压缩功率,5.8GHz条件下的功率增加效率*2为33.6%

  (b)2.4GHz频段:13.0dB的功率增益,26.5dBm条件下1dB的增益压缩功率,2.4GHz条件下的功率增加效率为66.0%

  这些性能参数是对瑞萨科技目前的HSG2002的显著改善,例如,5.8GHz条件下的功率增加效率大约提高了10%,2.4GHz的功率增加效率大约提高了20%。

  该性能有助于降低   
IEEE802.11a*3 兼容的无线LAN设备、数字无绳电话等5GHz频段设备的功耗,也可以降低使用2.4GHz频段的IEEE802.11b/g*3 兼容的无线LAN设备、RF标签读/写机及其他2.4GHz频段应用的功耗。

  2)小而薄的无铅封装

  该器件采用小型表面贴装8引脚WQFN0202(瑞萨封装代码)封装,尺寸为2.0mm×2.0mm×0.8毫米。这种小而薄的无铅封装有助于缩小RF前端传输部分的设计空间。
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