问题如下：

程序下载到片内H0 SRAM（0x3F800）运行时，测试其中一段程序运行时间约8uS，当下载到片外SRAM（0x080000,2区）运行时，测试同一段程序运行时间约120uS，不知何因，


设置如下：
SYSCLKOUT为32MHz,
XTIMING6.bit.X2TIMING = 0;                     未加倍
XTIMING6.bit.XWRTRAIL = 1;                    写周期跟踪时间,为1个XTIMCLK
XTIMING6.bit.XWRACTIVE = 0;                  写周期激活等待时间,为0个XTIMCLK
XTIMING6.bit.XWRLEAD = 0;                     写周期建立时间,为0个XTIMCLK
XTIMING6.bit.XRDTRAIL = 1;                     读周期跟踪时间,为1个XTIMCLK
XTIMING6.bit.XRDACTIVE = 0;                   读周期激活等待时间,为0个XTIMCLK
XTIMING6.bit.XRDLEAD = 0;                      读周期建立时间,为0个XTIMCLK
XTIMING6.bit.USEREADY =0;                     忽略XREADY检查

解答如下：

片内ram读写速度比较快，可以一个周期读写一次；外部的通常许多周期才能读写一次，可以自己设置。

这是个很常识的问题啊，距离cpu越近的ram的读写速度往往更快，当然生产的成本也就越高。电脑的硬盘和内存也差不多的道理