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| 采用RF芯片组的下一代RFID阅读器 | |||||
作者:佚名 文章来源:电子产品世界 点击数: 更新时间:2008-4-14 ![]() |
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美国的阅读器具有+30dBm最大输出功率;欧洲的阅读器最大输出为+27dBm;日本的阅读器最大输出功率为+30dBm。当今在美国的大多数1W阅读器是为低密度用户设计的,其发射和带外要求是由FCC确定。对于美国和日本的阅读器可以采用饱和功率放大器(PA),可使PAE(功率附加效率)在较高的 50%量级。对于欧洲阅读器,功率放大器必须工作在线性区,这可使PAE降低到30%左右。 RFID阅读器的频率方案示于表1。
为了减少RFID阅读器RF部分的尺寸,必须增加每个元件的功能。图1示出RFID阅读器的典型框图,并示出集成元件到芯片组的一种可能的方法。
源模块 源模块的用途是为RFID阅读器的发送和接收通路提供频率合成LO(本振),其频率见表1。频率合成器为了能为TX(发送)和RX(接收)信号通路提供合适的LO输入,必须放大合成器之后的信号。 对于源模块,关键是要适应性强,这样单块PC板可以用于处理所有不同的频段。用一个集成合成器/VCO集成电路,采用不同的电感值可以对准VCO频段的中心。日本频段比美国和欧洲频段要求更快的开关速度,这仍然可以用5KHz BW(带宽)环形滤波器实现,但需用不同的元件值。在功率分配器中需要有20dB量级的隔离。基于成本考虑,一般采用单片窄带功率分配器,但对于 850~960MHz,它不是最佳的。为了使每个隔离最佳,采用调节电感器和/或电容器重新对准功率分配器隔离。 为了减小尺寸和减少整个元件数,必须组合各种各样的元件来构成一个源模块。TCXO(温控晶振)制造在屏蔽封装中,以使频率稳定性最高和噪声最小。合成器所用的大多数元件是低成本的SMTI(表面贴装)封装。合成器/源模块另一个要求是需要屏蔽,以使环路稳定和相位噪声最小。
6×6mm2 PQFN多芯片模块是构建发送模块的好的封装选择。这种方法有几个优点。这是封装多芯片的一个有效方法。由于PQFN封装的底部可直接焊接到地,所以它具有到地的低电感和来自放大器管芯片底部的低热阻通路。 在HMIC中不考虑实现ITN尺寸的情况下,此技术可提供小的可控制寄生干扰,谐波带阻滤波器中的寄生参量需要其后的谐波滤波器来减小。 前置放大器和功率放大器之间外部互连到发送模块这为设计人员提供最大灵活性。该点信号通路可以插入一个定制滤波器。有些用户希望完全旁路混频器,选择用功率放大器的功率控制器电路引入数据调制。 I/O解调器的基本框图示于图3。
I/O调制器/解调器用M/A-COM HMIC设计。采用普通屏蔽混频器的I/O调制/解调器主要性能示于表2。
图4示出MAIA-007859-000100接收模块的总谐波抑制性能,图5示出
。
每个I/O调制器封装在6mmPQFN塑料封装中,需要+5V DC电源(75μA)。在DC供电线上需要一个到地的并联电容器来防止任何RF频率进入模块。 对于1W RFID UHF阅读器,把大部分RF元件放在少量模块中是可能的。这允许终端用户可减小板的大小,更快地把产品推向市场和降低元件数量。 |
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