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| 道康宁描绘发展战略“向更广泛的硅基材料进军” | |||||
作者：61IC 新闻来源：本站 点击数： 更新时间：2007-5-9  |
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该公司的发展规划大体分为3个阶段。第1阶段是在目前的业务领域发掘新用途，使其在1～2年后发展为骨干业务的短期规划；第2、3阶段则是以在4～5年后实现更大的飞跃、获得新兴市场为目标的中长期规划。该公司列举的各阶段投入项目如下。 短期投入项目中，与美国空气化工产品公司（Air Products and Chemicals）、法国空气液化公司（Air Liquid）合作的CVD材料业务最值得期待。这些业务已经开始启动，在90nm工艺以后的逻辑元件领域发展顺利。与东京应化工业合作开发的含硅多层光刻胶材料，预计将于2008年开展业务。 在中长期项目中，SiC晶圆业务的进展最快。道康宁东丽目前正在位于美国密歇根州米德兰市的道康宁（Dow Corning Corp）总部开发SiC晶圆业务，估计将于2008年下半年开始有营业额进账。在太阳能电池用硅方面，焦点将集中到太阳能电池，不开发LSI所需高纯度的金属硅材料。 目前，该公司已通过在制造中使用自主开发的冶炼技术，实现了金属硅材料的低成本化。预定在巴西进行生产，计划到2007年底，建立年产3000吨的体制。光导波路材料方面，该公司正在开发能够承受200℃回流焊接的材料。容量预计可达到300GB～1TB的全息数据存储业务是于2006年从美国Aprilis公司收购的。长期项目中提到的2个业务（SiC晶圆和光导波路材料）已经进入了接受用户评估的阶段。除此之外，在长期项目方面，该公司还在寻求手机降噪方面的商机。 |
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