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| ARM和TSMC签署65纳米和45纳米技术IP长期协议 | |||||
作者：小编 新闻来源：本站原创 点击数： 更新时间：2006-4-25  |
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ARM物理IP营销副总裁Neal Carney表示：“通过这个协议，ARM和TSMC已经为未来全球设计团队获得高精技术奠定了基础；两家公司将共同致力于为用户提供从设计到生产的无缝流程。ARM Advantage IP综合套件和TSMC最先进的制造技术的组合提供了能够满足SoC设计师对于性能和功耗管理要求的业界领先的解决方案。” TSMC设计服务营销高级总监Ed Wan表示：“TSMC的客户已经享受到TSMC先进的65纳米技术所带来的好处。随着越来越多的设计师开始采用这个技术，对于高度集成同时使用简便的IP的要求就变得越来越重要。通过ARM Access Library Program，设计师可以实现高价值、低风险和大大简化的使用途径。” ARM Advantage IP提供高速、低功耗的性能表现，满足消费电子、通讯和网络市场众多应用的需求。Advantage标准单元包括功耗管理工具包，实现动态和漏泄功耗节省技术，例如时钟门控、多电压分离和电能门控等。它还提供五个Advantage存储编译器，提供相似的高级功耗节省特性。该产品套件在扩展了的电压范围内对时钟和功耗作了特殊设置，使得设计师可以完成多电压设计的精确模拟。此外，ARM还将发布TSMC Nexsys I/O产品，从而提供完整的物理IP。 Advantage IP包含了ARM广泛的views和模型集，提供了与众多业界领先的EDA工具的整合。这些views在广泛的运行条件下可以为Advantage产品提供功能、时钟和功耗信息，使得设计师可以在SoC中实现能够积极控制动态和漏泄功耗的复杂功耗管理系统。 TSMC 65纳米技术的成功是建立在其业界领先的0.13微米和90纳米技术的基础上。TSMC预计2006年65纳米产品将会有一个爆发式的增长。公司每2个月会启动65纳米的原型验证试验线，帮助客户和EDA、IP和库供应商就他们的尖端设计进行原型试验和验证。 TSMC 65纳米NexsysSM技术是其同时采用了铜互连和low-k绝缘技术的第三代半导体工艺。它是一个9层金属工艺，核电压1.0或1.2伏，I/O电压1.8，2.5或3.3伏。与TSMC现有的90nm Nexsys工艺相比，这项新工艺技术可以将使标准单元门的密度翻倍。它同时还有很具竞争力的六晶体静态随机存取记忆体(6T SRAM)和单晶体嵌入式静态随机存取记忆体（1T embedded DRAM）这两种存储单元尺寸。此外，该技术还包括支持模拟和无线设计的混合信号和无线电频率功能，支持逻辑和存储整合的嵌入式高密度存储，以及支持客户加密需求的电子保险丝选项功能。 |
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