【E1265】基于SPWM的大功率信号源设计

项目编号：E1265

文件大小：260M

源码说明：带中文注释

开发环境：C编译器

简要概述：

基于SPWM的大功率信号源设计

主电源：36V就好？还是48V？或者24V

1、电流检测（闭环）

器件选型：ACS712ELCTR-20A-T

IC供电电压为5V

基准电压输出为2.5V

输出电压和电流成正比：-20A为0.5V；50A为4.5V

工作温度范围-10℃到125℃

当电流变化不大时，输出端接一个差分放大器（LMV7235）

LMV7219、LMV321M5X、LMV611MFX

LMV358IDR

2、电源转换（AC 转 DC 以及稳压）

1、整流二极管：

采用双二极管，增大整流电流

全波整流，采用4个大功率的并联的二极管

可以直接用整流桥器件

2、先经过变压器再整流？

3、其他注意事项：

功率部分和数字信号部分，共模电感隔离。

板载温度检测：

LM75AD温度传感器

电源接一个保险丝

4、器件选型：

肖特基二极管：ss510/5A/100V

超快恢复二极管：MUR410G

MOSFET场效应管：

IRF540NSTR/100V/33A

IRF640NSTRLPBF TO-263-3 N沟道 220V/18A 贴片 MOSFET

（画PCB的时候注意加散热片）

Proteus仿真表明：

测试全用NMOS负载的端电压不对，主电压过高后，上半桥可能没有全部打开

2020/07/14:

方案参数重新考虑，单纯提高桥路主电压，H桥上半桥并没有一直处于导通状态，

输出电压被没有按理想状态一直上升，卡在（栅极电压-最小GS电压）上限值

初步拟定做电流闭环控制，降低输出电压的上限：

IRF540NSTR的GS_max为20,ID_max=33A，Vmax最好 <15V 

确定选型：

驱动IC：IR2104S VCC =16V

NMOSFET：IRLR7843 Vmain = 12V

驱动升压：MC34063 到16V

隔离芯片：HCPL2630SD VCC = 5V

驱动芯片：IR2110STRPBF

IRS2186STRPBF 

5、接口

线圈输出接口

参考学长的电源接口，HT508或HT396

HT508(15A)允许电流大一点（HT396最大8A）

文件列表：